Первый AI Маркет
Будущее уже здесь

Память DDR4 4GB 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266X02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret

Память DDR4 4GB 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266X02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Память DDR4 4GB 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266X02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Память DDR4 4GB 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266X02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Память DDR4 4GB 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266X02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Артикул:1980544
Характеристики
Бренд
SILICON POWER
Объем одного модуля
4
Количество в упаковке
1
Тактовая частота
2666
Тип памяти
DDR4
Все характеристики
Оперативная память DDR4 от Silicon Power с объемом 4 ГБ и тактовой частотой 2666 МГц обеспечивает надежную работу в ноутбуках и компактных ПК. Модель SP004GBSFU266X02 RTL имеет 260 контактов, работает на напряжении 1.2 В и соответствует стандарту PC4-21300 с латентностью CL19. Данная SO-DIMM память обладает одноплановой архитектурой, что способствует эффективному использованию ресурсов в современных системах.
Все описание
1 089
В корзине
Информация о доставке
Способ доставки
Пункты выдачи Boxberry
Рассчитываем стоимость доставки...
Курьером Boxberry
Рассчитываем стоимость доставки...
Оригинальный товар от производителя.
Официальная гарантия.
10227 пунктов выдачи по всей России.
Профессиональная консультация в чате.

Память DDR4 4GB 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266X02 RTL – это высококачественный модуль оперативной памяти, который предлагает надежность и отличную производительность для различных задач. С частотой 2666MHz и стандартом PC4-21300, этот SO-DIMM модуль обеспечивает эффективное выполнение многозадачных операций и быструю обработку данных. Благодаря своей конструкции с 260 контактами, он легко устанавливается в большинство современных ноутбуков и мини-ПК, предоставляя пользователям возможность расширить объем оперативной памяти.

Одним из ключевых преимуществ данной памяти является ее одинарный ранг, что позволяет оптимизировать производительность и задержки при доступе к данным. Модуль поддерживает напряжение 1.2В, что делает его более энергоэффективным по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Это не только снижает потребление энергии, но и позволяет снизить тепловыделение, что особенно важно для портативных устройств. Использование технологии DDR4 обеспечивает более высокую скорость передачи данных и улучшенную производительность по сравнению с DDR3.

Кроме того, Silicon Power известен своим вниманием к качеству и надежности продукции. Модуль памяти прошел строгие испытания и сертификацию, что гарантирует его долговечность и стабильную работу в условиях различных нагрузок. Если вы ищете способ улучшить производительность вашего устройства, Память DDR4 4GB 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266X02 RTL станет отличным выбором, обеспечивая баланс между ценой и качеством. Этот модуль оперативной памяти подходит как для офисных задач, так и для повседневного использования, позволяя вам работать и развлекаться без лишних задержек.

Основные характеристики
Бренд
SILICON POWER
Модель
SP004GBSFU266X02
Форм-Фактор
SO-DIMM
Объем
4096
Объем одного модуля
4
Количество в упаковке
1
Суммарный объем памяти (ГБ)
4
Тактовая частота
2666
Пропускная способность
21300
Буферизация
unbuffered
Количество рангов (Ranks)
single rank
Оперативная память
Тип памяти
DDR4
Скорость
Скорость (тест)
2666МГц
Показатель скорости
PC4-21300
Питание
Количество контактов
260-pin
Упаковка
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.173x0.07x0.113
Вес упаковки (ед)
0.035 кг
Тестовые характеристики
Латентность (CAS)
CL19
Напряжение (тест)
1.2В
Дополнительно
Тип поставки
Ret
Warranty
60
PartNumber/Артикул Производителя
SP004GBSFU266X02
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.

Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.