Основные характеристики | |
Производитель | QUMO |
Чип | 512M x 8-bit |
Модель | QUM3S-4G1333С9 |
Тип памяти | SO-DIMM |
Частота (mhz) | DDR3 - 1333 |
Объем одного модуля (гб) | 4 |
Пропускная способность (мб/с) | 10600 |
Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
Тайминги | |
Тайминги | 9-9-9 |
Ras to cas delay (trcd) | 9 |
Row precharge delay (trp) | 9 |
Cas latency (cl) | 9 |
Особенности | |
Компоновка чипов на модуле | Односторонняя |
Напряжение (в) | 1.5 |
Количество контактов | 240 |
Дополнительно | |
Общий объем памяти (гб) | 4 |
Гарантия | 3 года |
Gtin | 04897062179432 |
Pictureid | 516083 |
Partnumber | QUM3S-4G1333C9 |
Тип поставки | RTL |
Gtdnumber | 10005030/230624/5046301 |
Цвет | разноцветный |
Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.